N-CHANNEL 7A The **STGB7NB60HD** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 7A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 4.5A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The **STGB7NB60HD** is a **600V, 7A** IGBT designed for high-efficiency switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for power conversion systems such as motor drives, inverters, and SMPS (Switched-Mode Power Supplies).

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance for high-frequency applications.  
- **High current capability** with a compact D²PAK package.  
- **Temperature-stable operation** with a wide junction temperature range.  
- **Co-packaged with an ultrafast freewheeling diode** for improved efficiency.  

This IGBT is optimized for applications requiring **high voltage, high speed, and energy efficiency**.