STGB7NB60FD

N-CHANNEL 7A 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT The STGB7NB60FD is a 600 V, 7 A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 7 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 4.5 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7 V (typical at I_C = 7 A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The STGB7NB60FD is a fast-switching IGBT designed for high-efficiency power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for motor control, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Performance** for improved efficiency.  
- **High Current Capability** at elevated temperatures.  
- **Integrated Freewheeling Diode** for simplified circuit design.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This IGBT is optimized for applications requiring high voltage and current handling with minimal power dissipation.

N-CHANNEL 7A 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT