N-CHANNEL 600V 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH IGBT The STGB3NB60KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage (V_CES):** 600V  
- **Current (I_C @25°C):** 3A  
- **Current (I_C @100°C):** 1.8A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 30W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical) @ I_C = 3A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** DPAK (TO-252)  

### **Description:**  
The STGB3NB60KD is a fast-switching N-channel IGBT designed for high-efficiency power switching applications. It combines low conduction losses with fast switching performance, making it suitable for SMPS (Switched-Mode Power Supplies), motor control, and other power conversion systems.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage (V_CE(sat))  
- High-speed switching  
- Low gate charge  
- Integrated freewheeling diode for improved efficiency  
- High ruggedness and reliability  
- Pb-free and RoHS compliant  

This IGBT is optimized for applications requiring efficient power handling and fast switching in compact designs.