STGB14NC60KDT4

14 A, 600 V short-circuit rugged IGBT The **STGB14NC60KDT4** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 14A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 8A  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85V (typical) @ I_C = 14A  
- **Gate-Emitter Threshold Voltage (V_GE(th)):** 5.5V (typical)  
- **Maximum Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions:**
- **Type:** N-channel IGBT with ultrafast soft recovery antiparallel diode  
- **Technology:** Trench gate field-stop  
- **Applications:** High-efficiency switching in power converters, motor drives, UPS, and inverters  

### **Features:**
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses  
- **Fast switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **High current capability:** Suitable for medium-power applications  
- **Integrated diode:** Ultrafast soft recovery antiparallel diode for improved efficiency  
- **Temperature stability:** Robust performance across a wide temperature range  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **STMicroelectronics datasheet**.

14 A, 600 V short-circuit rugged IGBT