STG8210

Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor The STG8210 is a high-performance N-channel MOSFET manufactured by SAMHOP. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The STG8210 is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Enhanced thermal performance  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for high-power applications  

For detailed datasheet information, refer to the official SAMHOP documentation.

Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor