Low Voltage 0.3 Ohm Max Single SPDT Switch with Break-Before-Make Feature and 10kV Contact ESD Protection The STG4159BJR is a dual N-channel MOSFET power driver manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Part Number:** STG4159BJR  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET Driver  
- **Package:** SO-8  
- **Input Voltage (VIN):** 4.5V to 18V  
- **Output Current (IOUT):** Up to 2A (sink/source)  
- **Propagation Delay:** ~30ns (typical)  
- **Rise/Fall Time:** ~10ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Switching Frequency:** Up to 1MHz  

### **Descriptions:**  
- The STG4159BJR is a high-speed dual MOSFET driver designed for applications requiring efficient switching of power MOSFETs or IGBTs.  
- It features independent high- and low-side driver outputs, making it suitable for half-bridge or synchronous buck converter topologies.  
- The device includes under-voltage lockout (UVLO) protection to prevent malfunction at low supply voltages.  

### **Features:**  
- **Dual Independent Drivers:** Two N-channel MOSFET drivers in a single package.  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching with minimal propagation delay.  
- **Wide Input Voltage Range:** Supports 4.5V to 18V for compatibility with various logic levels.  
- **High Peak Output Current:** Capable of sourcing/sinking up to 2A for driving large MOSFETs.  
- **UVLO Protection:** Ensures safe operation by disabling outputs when supply voltage is too low.  
- **Low Power Consumption:** Designed for energy-efficient applications.  
- **Compact SO-8 Package:** Space-saving and suitable for surface-mount applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.