Low voltage 1.0惟 max dual SP3T switch with break-before-make feature The part **STG3856QTR** is manufactured by **STMicroelectronics (STM)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 20A  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Configuration:** Single IGBT with anti-parallel diode  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low saturation voltage (V_CE(sat)).  
- Fast switching speed with low switching losses.  
- Integrated freewheeling diode for improved performance in inductive load applications.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  
- Robust and reliable for industrial applications.  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.