N-channel 600 V - 0.56 Ω - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh? Power MOSFET The STF8NM60N is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STF8NM60N is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low gate charge, fast switching speed, and excellent thermal performance. The device is suitable for power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees ruggedness.  
- **TO-220FP Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STF8NM60N.