N-CHANNEL 1000V The STF8NK100Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STF8NK100Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (1000V)**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low on-resistance for reduced conduction losses**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **TO-220FP package (isolated tab for improved thermal performance)**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.