N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package The **STF7NM60N** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The **STF7NM60N** is a high-voltage MOSFET designed for efficient switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses  
- **TO-220FP Package:** Provides good thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.