N-channel 600V - 0.85Ω - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh? Power MOSFET The STF6NM60N is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STF6NM60N is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ technology, which provides low on-state resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Optimized for low conduction losses.  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 600V applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Ruggedness:** Improved reliability under harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in inductive load switching.  
- **TO-220FP Package:** Provides good thermal performance.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.