N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package The STF6N62K3 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 620V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **R_DS(on) (Max):** 1.2Ω (at V_GS = 10V, I_D = 3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (Min) – 5V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (Typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The STF6N62K3 is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for low gate charge and high efficiency.  
- Suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for fast switching.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **100% avalanche tested** for robustness in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official STMicroelectronics documentation.