Bi-Directional Triode Thyristor The STF6A80 is a MOSFET manufactured by SEMIWELL. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The STF6A80 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power supplies, inverters, motor control, and other high-voltage circuits.  
- The device features low gate charge and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides reliability in inductive load conditions.  
- **TO-220F Package:** Ensures good thermal dissipation.  

For detailed datasheet information, refer to SEMIWELL's official documentation.