**Part Number:** STF5NK100Z  

**Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ V  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP (isolated)  

**Descriptions:**  
The STF5NK100Z is a high-voltage N-channel MOSFET utilizing ST’s MDmesh™ V technology, optimized for high-efficiency power switching applications. It features low gate charge and reduced switching losses, making it suitable for flyback converters, power supplies, and lighting applications.  

**Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improved efficiency in high-frequency applications.  
- **High Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under extreme conditions.  
- **Isolated Package (TO-220FP):** Provides electrical isolation between the device and heatsink.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and switching losses.  
- **Zener-Protected Gate:** Prevents damage from voltage spikes.  

(Data sourced from official STMicroelectronics documentation.)