N-CHANNEL 900V The STF3HNK90Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ K5  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **R_DS(on) (Drain-Source On-Resistance):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP (Insulated)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage switching applications up to 900V.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Optimized for fast switching performance.  
- **Low R_DS(on):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Avalanche-Rugged:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Suitable for high-frequency switching.  
- **Applications:** Used in power supplies, inverters, motor control, and industrial applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.