N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220FP The STF35N65M5 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 35 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 140 A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 300 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30 V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.065 Ω (max) at VGS = 10 V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2600 pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 450 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 60 pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15 ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60 ns  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 150°C  
### **Description:**  
The STF35N65M5 is a high-voltage, high-current MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  
### **Features:**  
- **SuperMESH5™ Technology:** Provides low RDS(on) and high switching performance.  
- **Avalanche-Rugged:** High energy capability for improved reliability.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
The STF35N65M5 is commonly used in applications such as:  
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- Motor drives  
- Inverters  
- Industrial power systems  
For detailed technical information, refer to the official STMicroelectronics datasheet.