N-channel 600 V, 0.11 Ω, 25 A FDmesh? II Power MOSFET (with fast diode) TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 The STF30NM60ND is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Package:** TO-220FP (isolated tab)  

### **Descriptions:**  
The STF30NM60ND is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for use in power supplies, motor control, and inverters. The TO-220FP package provides electrical isolation between the tab and the drain, improving thermal performance and safety in applications requiring isolation.  

### **Features:**  
- **High Voltage Rating:** 600V V_DSS for robust performance in high-voltage circuits.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Isolated Package (TO-220FP):** Enhances thermal management and safety in isolated designs.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in rugged operating conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness in harsh environments.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.