N-CHANNEL 600V The **STF2HNK60Z** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 35 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 6.5 nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 120 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35 ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description**  
The **STF2HNK60Z** is a high-voltage N-channel Power MOSFET based on ST's **MDmesh™ II** technology, optimized for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, lighting, and industrial applications.  

### **Features**  
- **High voltage capability (600 V)**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.