N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package The **STF26NM60N** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 26A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 104A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP  

### **Description:**
The **STF26NM60N** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.

### **Features:**
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is optimized for high-performance switching applications where efficiency and reliability are critical.