N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220FP package The STF25NM60ND is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **Power Dissipation (P_D):** 170W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STF25NM60ND is a high-voltage, high-current MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance in high-voltage circuits.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhanced ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses and improves switching speed.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensured reliability under harsh conditions.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor drives, inverters, and other high-voltage switching applications.