N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET The **STF25NM60N** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP (isolated tab)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for applications requiring up to 600V.  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling with minimal losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Isolated Package (TO-220FP):** Allows direct mounting on heat sinks without insulation.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This MOSFET is designed for high-efficiency power conversion and robust performance in demanding environments.