N-CHANNEL 550V @ TjMAX **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
**Part Number:** STF25NM50N  
### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 25A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 100A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.12Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 60nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220FP  
### **Descriptions:**  
The STF25NM50N is a high-voltage N-channel MOSFET based on ST's MDmesh™ II technology, optimized for high-efficiency power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  
### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhanced by low gate charge.  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 500V applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Improved reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Drive Requirements:** Compatible with standard drive circuits.  
- **TO-220FP Package:** Provides mechanical robustness and efficient thermal dissipation.  
This MOSFET is designed for high-performance power conversion systems, ensuring efficiency and durability.