N-channel 650 V The STF24NM65N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 24 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 96 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60 nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP  

### **Descriptions:**  
The STF24NM65N is a high-voltage N-channel MOSFET based on ST's MDmesh™ II technology, optimized for high-efficiency power conversion applications. It features low on-resistance and high switching performance, making it suitable for switch-mode power supplies (SMPS), lighting, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for reduced switching losses  
- **Fast intrinsic diode** for improved efficiency in hard-switching applications  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Low input capacitance** for high-frequency operation  
- **100% avalanche tested** for robustness  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.