N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP The **STF22NM60N** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 88A  
- **Power Dissipation (P_D):** 170W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The **STF22NM60N** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low conduction losses and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (650V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **TO-220FP Package (Insulated Version)**  

This MOSFET is commonly used in applications requiring high power efficiency and reliability.