N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-220FP package The STF21NM60ND is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 70nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STF21NM60ND is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ II series, which offers low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **MDmesh™ II Technology:** Provides low conduction losses and high switching performance.  
- **Avalanche-Rugged:** Ensures reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness in harsh conditions.  
- **TO-220FP Package:** Offers good thermal performance and mechanical strength.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching applications.  

(Note: All specifications are based on standard operating conditions unless otherwise stated.)