N-channel 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220FP The STF21N65M5 is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 450pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STF21N65M5 is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **SuperMESH5™ Technology:** Provides low on-resistance and high switching performance.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures high energy capability in avalanche mode.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees reliability under harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Package:**  
TO-220FP (Fully Insulated)  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.