N-CHANNEL 200V 0.10 Ohm 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II MOSFET The STF20N20 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.16Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typ)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**
- The STF20N20 is a high-voltage, high-current MOSFET designed for power switching applications.  
- It is part of STMicroelectronics' Power MOSFET portfolio, optimized for efficiency and robustness.  
- The device is housed in a TO-220 package, providing good thermal performance.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage for high-power applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official STMicroelectronics documentation.