N-channel 650 V, 0.25 Ohm, 15.5 A, MDmesh(TM) 2 Power MOSFET in a TO-220FP package The STF19NM65N is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.19Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP  

### **Descriptions:**  
- The STF19NM65N is a N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It uses ST's MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for reduced switching losses.  
- **Low intrinsic capacitances** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability in harsh conditions.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- **Fast switching performance** suitable for power supplies, motor drives, and inverters.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.