N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220FP package The **STF18NM80** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 250W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The **STF18NM80** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220FP Package (Insulated)**  

This MOSFET is commonly used in applications such as:  
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- Motor control  
- Lighting systems  
- Industrial power systems  

For detailed electrical characteristics and thermal performance, refer to the official **STF18NM80 datasheet** from STMicroelectronics.