N-channel 650 V, 0.230 Ohm, 12 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220FP The STF16N65M5 is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Category:** Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ M5  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28 Ω (max) @ V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 38 nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP  

### **Descriptions:**
- The STF16N65M5 is a high-voltage N-channel Power MOSFET based on STMicroelectronics' MDmesh™ M5 technology.  
- It is designed for high-efficiency switching applications, offering low conduction and switching losses.  
- The device is suitable for use in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Performance:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High dv/dt Capability:** Robust against voltage transients.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces driving losses.  
- **Improved Body Diode Characteristics:** Better reverse recovery performance.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.