N-channel 650 V, 0.33 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-220FP The STF14NM65N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STF14NM65N is an N-channel MOSFET based on STMicroelectronics' MDmesh™ technology, optimized for high-voltage switching applications. It offers low on-resistance and high switching performance, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Low conduction losses and high switching efficiency.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability for reliable operation.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **TO-220FP Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This MOSFET is designed for industrial, automotive, and consumer applications requiring high voltage and current handling.