N-CHANNEL 800 V The STF11NM80 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 50nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STF11NM80 is a high-voltage MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for industrial and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage.  
- **Low Gate Charge:** Ensures efficient switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability in harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in high-energy environments.  
- **TO-220FP Package:** Provides good thermal dissipation.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching applications.