N-channel 650 V, 0.425 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

**Part Number:** STF11NM65N  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 38nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 48ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220FP  

### **Descriptions:**  
The STF11NM65N is an N-channel power MOSFET based on ST’s MDmesh™ II technology, optimized for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high avalanche ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High switching speed** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Low gate charge** for reduced driving losses  
- **100% avalanche tested** for robustness  
- **TO-220FP package** with improved thermal performance  
- **Compliant with RoHS directive**  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-speed switching applications, providing a balance between efficiency and thermal performance.