N-channel 650 V, 0.43 惟, 9 A MDmesh蛺2;2; II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK The STF10NM65N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 35nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5V (min) to 5V (max)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STF10NM65N is an N-channel MOSFET based on MDmesh™ technology, optimized for high-voltage applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Enhances efficiency and switching performance.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability during avalanche conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensured reliability under harsh conditions.  
- **Fast Intrinsic Diode:** Improves reverse recovery characteristics.  
- **TO-220FP Package:** Provides good thermal performance.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STF10NM65N.