OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The part **STE180N10** is manufactured by **NAIS (Panasonic)**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.010Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- High-power N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- Suitable for high-current, high-efficiency power circuits.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports up to 180A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Thermal Performance:** TO-220 package ensures effective heat dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

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