N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A DPAK MDmesh(TM) II Power MOSFET The STD9NM60N is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** MDmesh™ (Low gate charge, fast switching)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Applications:**  
  - Switching power supplies  
  - DC-DC converters  
  - Motor control  
  - Lighting systems  
- **Key Features:**  
  - Low gate charge for high-efficiency switching  
  - High voltage capability  
  - Low on-resistance for reduced conduction losses  
  - Avalanche ruggedness  

This information is based on the manufacturer's datasheet.