N-CHANNEL 24V The **STD90NH02LT4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 90A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 360A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 2.3mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 130nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
### **Description:**
The **STD90NH02LT4** is a **low-voltage**, **high-current** MOSFET designed for power management applications. It features **low on-resistance** and **high switching performance**, making it suitable for high-efficiency DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.
### **Features:**
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current capability** (90A continuous, 360A pulsed)  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Standard gate drive voltage (10V)**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
- **TO-252 (DPAK) package**  
This MOSFET is optimized for applications requiring **high power density** and **efficiency** in a compact form factor.