N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET The STD90N02L-1 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 90A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 360A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typ) at V_DS = 10V, I_D = 45A  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2000pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STD90N02L-1 is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 90A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **Avalanche Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V gate drive signals.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STD90N02L-1.

N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET