N-channel 30 V, 0.0042 Ohm , 80 A, DPAK, TO-220, IPAK The STD85N3LH5 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** STripFET™ III  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200 W (at T_C = 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **R_DS(on) (Max):** 2.2 mΩ (at V_GS = 4.5 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.2 V (Min) to 2.2 V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110 nC (at V_GS = 10 V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6000 pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STD85N3LH5 is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features STMicroelectronics' STripFET™ III technology, which provides low on-resistance and high efficiency. The device is optimized for power management in applications such as DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 85 A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is sourced from STMicroelectronics' official documentation. For detailed application guidelines, refer to the datasheet.

N-channel 30 V, 0.0042 Ohm , 80 A, DPAK, TO-220, IPAK