N-channel 800 V, 0.95 Ohm, 6.5 A MDmesh(TM) Power MOSFET in DPAK package The STD7NM80 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The STD7NM80 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for applications requiring efficient power switching. It features low gate charge, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low On-Resistance (1.2Ω max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the STD7NM80. For detailed application notes or additional parameters, refer to the official documentation.

N-channel 800 V, 0.95 Ohm, 6.5 A MDmesh(TM) Power MOSFET in DPAK package