N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package The STD7NM60N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ (Low voltage)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max at V_GS = 10 V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 24 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**
The STD7NM60N is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It utilizes STMicroelectronics' MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance. The device is suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.

### **Features:**
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High dv/dt capability** for robust performance  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Optimized for high-frequency applications**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package