N-CHANNEL 200V 0.3 OHM 7A DPAK/IPAK POWERMESH MOSFET The part **STD7NB20T4** is a **N-channel 200V, 6.5A, 0.4 Ohm DPAK STripFET II Power MOSFET** manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 550pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** **DPAK (TO-252)**  

### **Features:**  
- **STripFET II Technology** for low on-resistance and high efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Fast switching performance**  
- **Low gate charge** for reduced drive losses  
- **100% avalanche tested**  

This MOSFET is commonly used in **power switching applications, DC-DC converters, motor control, and industrial applications**.

N-CHANNEL 200V 0.3 OHM 7A DPAK/IPAK POWERMESH MOSFET

N-CHANNEL 200V 0.3 OHM 7A DPAK/IPAK POWERMESH MOSFET **Manufacturer:** STMicroelectronics  

**Part Number:** STD7NB20T4  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ DM2  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12 nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600 pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STD7NB20T4 is an N-channel power MOSFET based on STMicroelectronics' MDmesh™ DM2 technology, optimized for high-efficiency switching applications. It features low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High dv/dt capability  
- 100% avalanche tested  
- Improved body diode characteristics  
- Lead-free and RoHS compliant  

**Package:** TO-252 (DPAK)  

(Source: STMicroelectronics datasheet)

N-CHANNEL 200V 0.3 OHM 7A DPAK/IPAK POWERMESH MOSFET