**Specifications:**  
- **Type:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Package:** TO-220  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

This MOSFET is commonly used in industrial and consumer electronics applications requiring high voltage and current handling.