N-channel 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET(TM) DeepGATE(TM) Power MOSFET in DPAK The STD70N10F4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 11mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 650pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The STD70N10F4 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling** (70A continuous, 280A pulsed).  
- **Fast switching performance** for efficient power conversion.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- **TO-220FP package** with isolated mounting for thermal management.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STD70N10F4.

N-channel 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET(TM) DeepGATE(TM) Power MOSFET in DPAK