N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK The STD6N62K3 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ K3  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 620 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 45 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The STD6N62K3 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for efficient switching applications. It utilizes ST's MDmesh™ K3 technology, which provides low on-resistance and high switching performance. The device is suitable for power supplies, lighting, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Low R_DS(on):** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces EMI in switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK