OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STD6N10 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STD6N10 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-state resistance and high efficiency in power management circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 100V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V or 10V drive signals.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Provides efficient thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

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