HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR The STD616AT4 is a specific part manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files regarding its specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 400 (varies by operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  

### **Description:**  
The STD616AT4 is a small-signal NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained PCB designs.  

### **Features:**  
- **High current gain (h_FE)** for efficient signal amplification  
- **Low saturation voltage** for improved switching performance  
- **High transition frequency (f_T)** for RF and high-speed applications  
- **Compact SOT-23 package** for surface-mount assembly  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STD616AT4. For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's documentation.

HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR