N-CHANNEL 100V The STD5NE10T4 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Technology:** STripFET™ II (Low gate charge, low on-resistance)  
- **Type:** N-channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Applications:** Switching circuits, power management, motor control, DC-DC converters  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High ruggedness and reliability  
- Improved dv/dt capability  
- Suitable for high-efficiency power applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 100V