N-CHANNEL 100V The STD5NE10LT4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 20A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.5Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Package:**  
- **Type:** TO-252 (DPAK)  
- **Mounting:** Surface Mount  
### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling with minimal losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Designed to withstand high-energy transients.  
- **Logic-Level Compatible:** Can be driven by low-voltage control circuits.  
- **Applications:**  
  - Power management in DC-DC converters  
  - Motor control circuits  
  - Switching regulators  
  - Load switching  
The information provided is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.