N-CHANNEL 200V The STD5N20 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STD5N20 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (200V)**  
- **Low gate charge**  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Low on-resistance**  
- **100% avalanche tested**  
- **TO-220 package for efficient heat dissipation**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 200V